全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 日前推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型为0.5mΩ），同时比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗，从而大大提高整体系统的效率。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封装的器件，与同类器件相比拥有更低的通态电阻，可实现卓越的效率及热性能，适合于高密度DC-DC应用，如比D2PAK尺寸更小的服务器。另外，该器件还有助于节省电路板空间及整体系统的成本，因为在特定功率损耗下，它比现有解决方案使用更少的器件。”
此外，IRF6718为电子保险丝及热插拔电路实现了改善的安全工作区（SOA）能力。该器件采用无铅设计，并符合RoHS标准。
IRF6718是IR针对DC开关应用的25V DirectFET系列的衍生产品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也适合DC开关应用，并且在各自的PCB尺寸内提供业界最佳的通态电阻。
产品的基本规格：
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器件编号 |
典型RDS(on) @10V (mΩs) |
典型RDS(on) @4.5V (mΩs) |
VGS (V) |
ID @ TA=25ºC (A) |
封装面积 (mm x mm) |
典型RDS(on) @10V x 面积 (mΩ x mm2) |
|
IRF6718 |
0.5 |
1.0 |
+/-20 |
61 |
7 x 9.1 |
31.9 |
|
IRF6717 |
0.95 |
1.6 |
+/-20 |
38 |
4.9 x 6.3 |
29.3 |
|
IRF6713 |
2.2 |
3.5 |
+/-20 |
22 |
3.8 x 4.8 |
40.1 |
上述器件的数据及应用说明已在IR的网站www.irf.com提供。
IR已开始接受量产订单。
IR简介
国际整流器公司 (简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。■
来源：国际整流器
http:www.cps800.com/news/2009-8/200981018849.html
0755-82905460
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