世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中，作为需电池供电的SRAM的兼容替代产品。
Ramtron市场拓展经理Mike Peters称：“FM28V020相比现有256Kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的FM18L08比较之下，FM28V020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2V的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40MHz，是需电池供电的SRAM或NVSRAM的简便升级产品。”
关于FM28V020
FM28V020是配置为32K x 8的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，能够在断电后保存数据，提供超过10年的数据保存能力，可消除需电池供电的SRAM(BBSRAM)带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。去除了系统中的电池可以简化生产过程，减少系统维护，并且显得更加环保。F-RAM具有的写入速度快，几乎无限的读写次数等特点(写入次数大约为1014次)，使其优于其它类型的存储器。
FM28V020在系统内的工作方式与其它RAM器件类似，可以用作标准SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可触发读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以极度适用于需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整个工业环境温度范围内工作。
Ramtron市场拓展经理Mike Peters称：“FM28V020相比现有256Kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的FM18L08比较之下，FM28V020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2V的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40MHz，是需电池供电的SRAM或NVSRAM的简便升级产品。”
关于FM28V020
FM28V020是配置为32K x 8的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，能够在断电后保存数据，提供超过10年的数据保存能力，可消除需电池供电的SRAM(BBSRAM)带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。去除了系统中的电池可以简化生产过程，减少系统维护，并且显得更加环保。F-RAM具有的写入速度快，几乎无限的读写次数等特点(写入次数大约为1014次)，使其优于其它类型的存储器。
FM28V020在系统内的工作方式与其它RAM器件类似，可以用作标准SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可触发读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以极度适用于需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整个工业环境温度范围内工作。
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来源：世纪电源网
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本文链接：Ramtron推出第二款并口256Kb
http:www.cps800.com/news/2009-8/2009819155454.html
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