IR推出适用于汽车的DirectFET®2功率MOSFET

    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。

    IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 结合了经过实践的 DirectFET 封装技术带来的卓越可靠性和性能，以及 IR 的最新沟道硅工艺。新款 DirectFET2 器件在应用于下一代车辆平台时可以达到最佳表现，实现超低导通电阻 (RDS(on)) 、栅极电荷 (Qg) 或逻辑电平操作，从而极大提升性能和效率，并缩减了系统尺寸和元件数量。”

    采用新款大罐式封装的 AUIRF7739L2 具有业内最低的导通电阻，在给定 PCB 区域 40V 电压时的导通电阻典型值仅为 0.7mΩ 。此外，与 D2PAK 相比，大罐式封装的占位面积可以减少60%，厚度可以降低85%。这款器件可提供卓越的功率密度和效率，非常适合高负载电机控制应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 和微型混合动力车的电池开关和集成式起动发电机 (ISA) ，以及底盘、传动系统和动力系统等。

    AUIRF7665S2 小罐器件可提供极低的栅极电荷，表现出非常小的寄生效应，以及快速、高效的开关性能。DirectFET2 MOSFET 是汽车开关应用的理想选择，包括D类音频放大器的输出级电路，以及 DC-DC 转换器和燃油喷射系统。

    AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 均符合 AEC-Q100 标准，是在 IR 要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合有害物质管制指令 (RoHS)。

    产品基本规格