Vishay推出业界最佳优值系数（FOM）的N沟道功率MOSFET

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。 

    栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC，是业界此类器件当中最低的。 

    SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。 

    新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技术制造，这种技术为减小通态电阻、在雪崩和通信模式中承受高能脉冲进行了有针对性的处理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，为保证可靠工作进行了完备的雪崩测试。 

    新款功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周到十二周。■