近期,随着IGBT封装线全面投产,南车株洲电力机车研究所有限公司的6英寸大功率半导体器件研发及产业化基地正式建成。
该项目投资3.5亿元,占地4公顷,总建筑面积2.2万平方米,于2007年启动建设,工艺装备和测试设备达到世界一流水准,主要生产6英寸、5英寸高压大电流晶闸管和整流管,年生产能力达6万只模块。
近年,电力电子技术迅速发展,具有关断能力的功率半导体器件成为市场主流。IGBT已成为电机控制和功率变换器首选器件,在轨道牵引系统中普遍应用,并成为节能技术和低碳经济的主要支撑,还可广泛应用于可再生能源发电、智能配电与控制、分布式发电、电力牵引等领域。“时代电气”大功率IGBT封装线的投产,填补了我国基础工业中先进电力电子器件的空白。
据悉,该基地建成投产后,将满足我国轨道交通、智能电网、新能源等重要领域对电力电子器件的强大需求,打破国外公司的技术垄断,全面提升我国电力电子产业的技术水平。■
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本文链接:南车株机所填补我国先进电力电子器件的空
http:www.cps800.com/news/2010-3/20103169121.html
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文章标签: 电力电子/器件/功率半导体器件/IGB
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