Vishay推出采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET Si8499DB

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

    新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺，将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V电压下的导通电阻分别为32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。

    Si8499DB采用第三代TrenchFET P沟道技术，器件的芯片级封装具有最大的裸片与占位比，在非常紧凑的器件内提供了超低导通电阻。MICRO FOOT封装所需的PCB面积只有TSOP-6的1/6，而导通电阻则很相近，从而为其他产品功能腾出空间，或是使终端产品变得更小。

    MOSFE的低导通电阻意味着负载、充电器和电池开关中更低的压降，使智能手机、PDA和MP3播放器等个人手持设备能够更快地充电，在两次充电之间的电池寿命更长。

    MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规范，符合RoHS指令2002/95/EC。

    Si8499DB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

    VISHAY简介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。■