三菱电机盛装亮相PCIM 2010中国电力电子展览会

    三菱电机盛装亮相PCIM 2010中国电力电子展览会。与其国际性、先驱性一致，三菱电机展台设计也独树一帜 - 大方、气势，尽显低碳、节能主题，因而也吸引大量专业观众驻足交流。 

    此次展览会期间，三菱电机于6月1日下午、6月3日上午分别举办了新产品发布及最技术介绍活动，吸引了众多观众参加。此次活动的主题为倡导低碳生活的三菱功率模块。 

    作为电力电子业内的先锋，三菱电机也是PCIM研讨会的最佳论文奖的赞助商。 

    三菱电机半导体产品包括三菱功率模块（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品，其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频、节能和环保的需求；而三菱系列光器件和光模块产品将为您在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案。 

    此次展会期间，三菱电机推出的三款新型的HVIGBT模块包括：3300V R系列、6500V R系列和4500VR系列，为轨道牵引和大功率工业驱动，带来更高性能、超可靠、低损耗的技术。 

    三菱电机针对轨道牵引和大功率工业驱动的需要，特别设计了具有优良性能的HVIGBT模块，尤注重损耗低、额定电流大以及运行结温范围大的特性，同时具备良好的开关控制特性以降低电磁干扰（EMI）。本次推出的三款HVIGBT模块完全符合这些要求，并已经取得国际铁路行业标准(IRIS) 认证。 

    3300V R系列HVIGBT模块采用LPT(Light Punch-Through)-HVIGBT硅片和软恢复高压二极管硅片的组合，在不影响模块的短路鲁棒性前提下，该新型模块的饱和压降与关断损耗折衷特性得到了25%的改善。 

    新型二极管的使用减小了反向恢复电流，且软反向恢复特性维持了现有二极管设计的短路鲁棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技术大大降低了模块的功率损耗，提高了模块的额定电流，最大额定电流可高达1500A，而过往产品的最大额定电流只有1200A。实验证明，通过调节导通和关断栅极电阻值可以在比较大范围内控制模块的开关特性。 

    6500V R系列HVIGBT模块，其绝缘耐压高达10.2k V（1分钟交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模块的可靠性得到大大提高。一共有3种封装形式，小型，中型和大型。6500V R系列 HVIGBT模块的IGBT硅片具有漏电流小、功率损耗低、安全工作区（SOA）宽的特性，其二极管硅片具有软反向恢复特性、功率损耗低和安全工作区（SOA）宽的特性，从而达至模块的总的功率损耗低，可靠性高。 

    新的R系列HVIGBT模块还推出4500V R系列，电流分别有1200A和800A。新的R系列HVIGBT模块硅片的运行温度上限由过去的125°C提高到150°C，模块的储存最低温度从过去的-40°C降低到-50°C。■