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IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的中压功率 MOSFET

2010/7/2 13:48:43   电源在线网
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    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的中压功率 MOSFET

    新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“由于新器件的尺寸仅为0.9mm,并具有标准引脚,可提供高额定电流和低导通电阻,因此与需要多个并行元件的解决方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。”

    所有器件都具有低热阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 标准,所采用的环保材料既不含铅、溴或卤,也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。

    产品基本规格

器件编号

封装

电压

电流

导通电阻

栅极电荷类型

栅极

IRFH5004TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

2.6 mOhm

73 nC

标准

IRFH5006TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

4.1 mOhm

67 nC

标准

IRFH5106TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

5.6 mOhm

50nC

标准

IRFH5206TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

98A

6.7 mOhm

40 nC

标准

IRFH5406TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

40A

14.4 mOhm

23 nC

标准

IRFH5007TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

100A

5.9 mOhm

65 nC

标准

IRFH5207TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

71A

9.6 mOhm

39 nC

标准

IRFH5010TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

9.0 mOhm

65 nC

标准

IRFH5110TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

63A

12.4 mOhm

48 nC

标准

IRFH5210TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

55A

14.9 mOhm

39 nC

标准

IRFH5015TRPBF

PQFN 5x6mm

150 V

56A

31 mOhm

33 nC

标准

IRFH5020TRPBF

PQFN 5x6mm

200 V

41A

59 mOhm

36 nC

标准

IRLH5034TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

最大2.4 mOhm 

43 nC

逻辑电平

IRLH5036TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

最大4.4 mOhm 

44 nC

逻辑电平

IRLH5030TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

最大9.0 mOhm 

44 nC

逻辑电平

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  来源:国际整流器公司
本文链接:IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的中
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