英飞凌推出650V CoolMOS™ C6/E6高压功率晶体管

    英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台，C6器件针对易用性进行了优化，而E6器件则旨在提供最高效率。

    CoolMOS™ C6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具备快速、可控的开关性能，适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650V CoolMOS™ C6/E6器件易于应用，是各种高能效开关产品的理想之选，例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）。

    英飞凌 HVMOS功率分立式器件产品经理Jan-Willem Reynaerts指出：“全新的650V C6/E6产品系列是英飞凌早前推出的CoolMOS™ 600V C6/E6产品系列的有益补充，确保那些需要650V击穿电压的电源产品能享受我们第六代CoolMOS™ 技术的各种优势。从这个意义上讲，CoolMOS™ C6/E6使我们的客户能够从大获成功的C3系列顺利实现更新换代。”

    相对于CoolMOS™ C3 650V系列，全新650V CoolMOS™ C6/E6 器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%，而C6/E6 器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性，并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计，C6/E6 器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。■