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Vishay光学传感器和功率MOSFET获EN-Genius年度产品奖

2011/3/29 10:10:19   电源在线网
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    日前,Vishay 宣布,其VCNL4000接近与环境光光学传感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET荣获EN-Genius Network颁发的年度产品奖,该网站在为电子设计工程师提供信息来源方面走在业界前列。  

    EN-Genius 2010年度产品奖的获奖产品是由EN-Genius主编Paul McGoldrick,以及编辑Lee Goldberg和Alex Mendelsohn从年内公开发布的产品中挑选出来的。  

    Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光检测领域的最佳研发奖。该器件完整集成了接近与环境光光学传感器,在业内首次将红外滤波器、光PIN二极管、环境光探测器、信号处理IC和16bit ADC集成进小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm无引线(LLP)表面贴装封装里。节省空间的VCNL4000支持易用的I2C总线通信接口,能够在各种消费和工业应用中大幅简化设计。  

    EN-Genius表示:“Vishay将光探测领域的丰富经验应用到这个产品上,对于移动设备的接近检测、显示/键盘对比度控制和调光应用,这款产品在性能和尺寸都堪称完美。产品定价非常合理,在性能表现上也极为出色。”  

    Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius评为最佳高压功率MOSFET,该MOSFET在制造过程中采用了一种新的为更高电压MOSFET优化的低导通电阻技术。SiR880DP是首款可在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET,采用热增强型PowerPAK® SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V下,典型导通电阻与栅极电荷乘积为161,该数值是衡量DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM,单位是nC-mΩ)。  

    EN-Genius评价:“N沟道SiR880DP的显著特点是兼有高电压等级和4.5V栅极驱动等级,且能提供超低的导通电阻。SiR880DP能在4.5V电压下导通,这样就能用5V PWM IC实现更高频率的转换器,而不需要目前所使用的6V器件。产品定价非常有吸引力,还能让以前的设计在DC-DC转换器中继续发挥余热。”■

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本文链接:Vishay光学传感器和功率MOSFE
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