集成SemiSouth碳化硅JFETs新型功率模块

    日前，Vincotech发布市场上第一款集成SemiSouth常开碳化硅（SiC）JFETs芯片的光伏逆变器专用模块。模块使用了混合电压型中心点钳位拓扑结构(MNPC)和分离型双端子输出，取得了超高的输出效率。

    新产品包含一个1200V的双升压电路模块（booster）和一个1200VMNPC拓扑结构的逆变模块，封装为12mm高的flow0。模块支持最高输出30kW三相光伏逆变器。

    关于升压模块flowBOOST0-10-PZ12B2A025FN-M330L08Y的主要特点为：

    ·双升压拓扑结构

    ·SemiSouth常开沟漕型碳化硅JFET

    ·SemiSouth碳化硅肖特基二极管

    ·由于没有拖尾电流，适合超高开关速度

    ·模块内部集成滤波电容，低寄生电感设计

    ·免焊接管脚技术

    ·紧凑的12mm高flow0封装

    关于逆变模块flowMNPC0-10-PZ12NMA025FN-M340F08Y的主要特点为：

    ·MNPC拓扑结构（每个模块为1相）

    ·SemiSouth常开沟漕型碳化硅JFET

    ·由于没有拖尾电流，适合超高开关速度

    ·分离型输出结构，不会有桥臂直通风险

    ·模块内部集成滤波电容，低寄生电感设计

    ·免焊接管脚技术

    ·紧凑的12mm高flow0封装<