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IR推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFET

2011/7/19 16:29:12   电源在线网
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    日前,全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

IR推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFET

    新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET, 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如,IRLHS6276在只有4 mm2 的范围内,配备了两个典型导通电阻 (RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用,为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今,IR新增了这些封装,能够提供一系列低压PQFN产品,包括N通道和P通道器件,20V和30V器件,最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件,以及单器件或双器件,它们都拥有极低的导通电阻。”

    这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件,可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm,与现有的表面贴装技术相兼容,并且拥有符合行业标准的占位空间,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

    产品规格

器件编号

封装

BV (V)

最大Vgs

10V下的

典型/最大导通电阻 (mΩ)

4.5V

典型/最大导通电阻 (mΩ)

2.5V

典型/最大导通电阻  (mΩ)

IRFHS9351

PQFN

2x2

-30V

+/- 20 V

135 / 170

235 /  290

-

IRLHS6276

PQFN

2x2

+20V

+/- 12 V

-

33 / 45

46 / 62

IRLHS6376

PQFN

2x2

+30V

+/- 12 V

-

48 / 63

61 / 82

IRFHM8363

PQFN

3.3x3.3

+30V

+/- 20 V

12/15

16 / 21

-

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