ST的先进半导体技术为未来移动网络基础设施奠定重要基础

    意法半导体的BiCMOS55 SiGe 先进技术被欧洲E3NETWORK项目组采用，用于开发适合下一代移动网络的高效率、高容量数据传输系统。

    移动数据使用量的迅猛增长，要求网络系统支持更大的容量和更高的数据传输速率。而如何加快移动网络向先进网络架构转型的速度，对移动回程线路（backhaul）基础设施是一个新的挑战，例如异构网络（Heterogeneous Network）与云端无线接入网络（RAN, Radio Access Network），其中更高频段（例如E-band ）可提供更大带宽，以支持更快的数据传输通道。

    建设这些超高效率的移动网络，设备厂商需要拥有高性能且低功耗、低成本的大规模集成电路电子元器件。E3NETWORK项目利用意法半导体的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工艺，开发出55纳米的Ft高达320GHz的异质双极晶体管（HBT, Heterojunction Bipolar Transistors）。这项制造工艺准许在一颗芯片上集成高频模拟模块与高性能、高容量的数字模块，例如逻辑电路、AD/DA转换器和存储器。
E3NETWORK项目采用意法半导体的BiCMOS55制造，目前正在研发一个集成化的E-band收发器，用于去程线路（Fronthaul）和回程线路基础设施，以实现数字多层调制，及高度聚焦的笔形波束（Pencil-beam）传输，数据速率可高达10Gbps。笔形波束的属性有助于提高回程线路和去程线路频率再用率，同时在毫米波（millimeter-wave）间隔期间保护频谱利用率（Spectrum efficiency）不受影响。

    作为欧盟第7框架计划中的一个项目，E3NETWORK（Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks）汇集了众多企业，其中包括CEIT（西班牙）、Fraunhofer（德国）、阿尔卡特朗讯（意大利）、CEA（法国）、INXYS（西班牙）、OTE（希腊）、SiR（德国）、Sivers IMA（瑞典）和意法半导体（意大利）。

    编者注：

    ST的BiCMOS技术将两种不同制造工艺的优势整合在一颗芯片上，双极晶体管提供高传输速率及高增益，这对于高频模拟电路至关重要，而CMOS元器件在构建简单、低功耗逻辑门方面的应用表现也非常出色。

    通过在一颗芯片上集成射频、模拟及数字电路，意法半导体BiCMOS55 SiGe器件不仅大幅降低了外围设备的数量，亦能够同时进行功耗优化。<