东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

　　东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

　　中国上海，2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。

　　

　　与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装封装。

　　与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

　　东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。

　　应用：

　　-通信设备电源

　　-开关电源（高效率DC-DC转换器等）

　　特性：

　　-优异的低损耗特性（在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡）

　　-卓越的导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值） VGS＝10V

　　-高额定结温：Tch（最大值）＝175℃

　　主要规格：

　　　　注：

　　[1]截至2022年3月的东芝调查。

　　[2]栅极开关电荷和输出电荷。

　　[3]与现有产品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%，漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。