我要找:  
您的位置:电源在线首页>>行业资讯>>新品速递>>Vishay新款导通电阻Si4628DY 创业界最低纪录正文

Vishay新款导通电阻Si4628DY 创业界最低纪录

2009/8/13 9:24:52   电源在线网
分享到:

器件采用第三代TrenchFET®技术和SO-8封装,导通电阻低至3mΩ


 
    日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术,Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未有的最低导通电阻,在10V和4.5V栅极驱动电压下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
 
    新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降压转换器中的低压侧功率MOSFET,降压转换器可用于笔记本电脑的内核电压和VRM应用、图形卡、负载点功率转换,以及计算机和服务器当中的同步整流。品质因数(FOM)是导通电阻与栅电荷的乘积,是这些应用的关键性能指标,与采用SO-8封装的最接近器件相比,该器件在10V和4.5V栅极驱动下的FOM分别小26%和34%。
 
    Si4628DY可改善用主电网供电的服务器或电池供电的笔记本电脑在轻负载条件下的功率转换效率。在轻负载条件下,功率转换器中的MOSFET是关闭的,电流通过肖特基二极管进行传输。由于肖特基二极管与MOSFET集成在一起,其前向电压降要远低于MOSFET内部体二极管上的电压降。因此,当降压转换器中的MOSFET在死区时间内被关断时,该特性能够大大减少功率损耗。
 
    肖特基二极管的反向恢复电荷(QRP)比MOSFET体二极管的QRP要低,因此能够进一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技术使器件的QRP比标准MOSFET体二极管减少了几乎75%,可以提高轻负载条件下的转换效率。
 
    最后,将肖特基二极管集成进MOSFET硅片可消除寄生电感。如果是以分立器件的形式将肖特基二极管和MOSFET安装到PCB板上,或是把分立的MOSFET和肖特基二极管封装在一起,均会引入寄生电感。
 
    这些特性所带来的效率改善,能够直接降低能量消耗,降低服务器集群等设施的电费开支,延长膝上计算机在两次充电之间的电池寿命。
 
    Si4628DY现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十周至十二周。

VISHAY简介
      Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富 1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器)的最大制造商之一,这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

   免责声明:本文仅代表作者个人观点,与电源在线网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
  来源:Vishay
本文链接:Vishay新款导通电阻Si4628D
http:www.cps800.com/news/2009-8/200981392452.html
  投稿热线 0755-82905460    邮箱  :news@cps800.com
关于该条新闻资讯信息已有0条留言,我有如下留言:
请您注意:
·遵守中华人民共和国的各项有关法律法规
·承担一切因您的行为而导致的法律责任
·本网留言板管理人员有权删除其管辖的留言内容
·您在本网的留言内容,本网有权在网站内转载或引用
·参与本留言即表明您已经阅读并接受上述条款
用户名: 密码: 匿名留言   免费注册会员
关键字:
        
按时间:
关闭