安捷伦科技公司近日宣布推出两款封装尺寸仅为2.5×1×1mm的三色表面安装LED——HSMF-C113和HSMF-C115。新器件主要用于手机和PDA等手持设备的背光和状态指示灯。手机和PDA设计人员采用此款LED,可将单独的红色、绿色和蓝色光源以任意方式组合。
安捷伦的这两款三色片式LED具有四端子公共正极连接,以垂直形式封装,通过侧面透镜而不是从封装顶部发射光线。它们采用安捷伦的微型ChipLED封装。这种封装形式具备较高散热性能,有利于提高器件稳定性。
其中,HSMF-C113具有三个裸片,蓝色采用氮化铟镓(InGaN,主波长为470nm,典型亮度60mcd);绿色采用铝铟镓磷化物(AlInGaP,572nm,50mcd);红色采用铝铟镓磷化物(AlInGaP,626nm,80mcd)。所有亮度均是在20mA工作电流下测得。HSMF-C115采用了亮度更高的氮化铟镓(InGaN)绿光,具有525nm主波长和170mcd的亮度。这两款LED符合IR(红外)回流焊接工艺要求,而且是无铅型产品。
以1,000片采购,HSMF-C113的单价为0.58美元,HSMF-C115单价为1美元(仅供参考)。这两款ChipLED器件的外包装符合EIA481标准。
安捷伦的这两款三色片式LED具有四端子公共正极连接,以垂直形式封装,通过侧面透镜而不是从封装顶部发射光线。它们采用安捷伦的微型ChipLED封装。这种封装形式具备较高散热性能,有利于提高器件稳定性。
其中,HSMF-C113具有三个裸片,蓝色采用氮化铟镓(InGaN,主波长为470nm,典型亮度60mcd);绿色采用铝铟镓磷化物(AlInGaP,572nm,50mcd);红色采用铝铟镓磷化物(AlInGaP,626nm,80mcd)。所有亮度均是在20mA工作电流下测得。HSMF-C115采用了亮度更高的氮化铟镓(InGaN)绿光,具有525nm主波长和170mcd的亮度。这两款LED符合IR(红外)回流焊接工艺要求,而且是无铅型产品。
以1,000片采购,HSMF-C113的单价为0.58美元,HSMF-C115单价为1美元(仅供参考)。这两款ChipLED器件的外包装符合EIA481标准。
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http:www.cps800.com/news/2005-6/2005613101837.html
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