Vishay推出新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET

    日前，Vishay 宣布发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。 

    40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比最接近的竞争MOSFET低4%，而4.5V下的FOM则低15.5%。 

    60V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的导通电阻分别比最接近的同档次MOSFET分别低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分别低23%和57%。在器件的整个工作范围内，低导通电阻和低FOM将能够减少开关损耗。 

    两款器件在制造过程中采用了一种新的硅技术，该技术使用了优化的沟槽密度和特殊的栅极结构。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而降低功耗，尤其是在重载的情况下。器件的低FOM能够降低高频和开关应用中的开关损耗，特别是在轻负载和待机模式下。器件的高频率使设计者能够增加其系统的功率密度，或是同时实现更低的功率损耗和更绿色的应用方案。 

    SiR662DP和SiR640DP适用于DC/DC和AC/DC转换器中的次级侧同步整流、DC/DC转换器中的初级侧开关、负载点模块、电机驱动、桥式逆变器和替代机械式继电器的应用。典型终端产品包括通信电源、工业自动化和专业游戏机、不间断电源(UPS)和消费类应用。 

    MOSFET的电压等级为4.5V，使许多设计者能够在其系统中使用现有的给数字逻辑电路供电的5V电源轨，无需再为10V电源轨腾出和寻找合适的空间。4.5V电压等级还能够大幅降低栅极驱动的损耗，同时还能够使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。 

    两款芯片均经过了100%的Rg和UIS测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。■