分析人士认为,随着产品价格降低,SiC器件市场有望在2015年发力成长。
尽管SiC功率器件不断被开发并推向市场,然而到目前为止其市场规模并不大,应用范围并不广。根据市调机构IMS Research的数据,2012年全球SiC功率器件市场只有1亿美元左右,且大部分的应用集中于电源供应器上。
对此,飞兆半导体亚太区市场营销副总裁蓝建铜指出:“SiC应用市场发展缓慢的主要原因是价格过高。目前,SiC功率器件的价格比Si器件贵10倍以上。造成价格高企的主要原因是SiC器件的制造工艺复杂,产能上不去,良品率低。目前SiC芯片基本是在4英寸晶圆上生产,一片4英寸晶圆只能切几十颗裸片。”
因此,只有扩大产量,解决良品率问题,使产品销售价格降低,才有望启动市场的应用需求。而根据蓝建铜的预测,市场真正发力的时点大约是在2015年。“预计制造工艺在未来2~3年内会有大幅改进,提高良品率,降低产品价格。此外,2~3年后SiC器件有可能过渡到6英寸晶圆上生产,未来更可能过渡到8英寸晶圆。”在此情况下,预计2015年SiC功率器件的价格有望下降到2012年价格的一半左右,从而有望大幅提高其在市场上的应用比率。
IMS Research的预测数据也印证了这一点,2015年预计整体SiC功率器件市场规模有望接近5亿美元,2020年将超过20亿美元,提高20倍。其中,增长最快的应用市场可能是UPS与电动汽车,工业驱动器、PV逆变器次之。<
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本文链接:2015年后SiC器件有望大规模商用
http:www.cps800.com/news/42780.htm
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