Vishay将在2014年中国（成都）电子展 展出业界最先进技术

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将在7月10日至12日成都世纪城新国际会展中心举行的2014年中国（成都）电子展夏季会上展出一系列技术。在3号展厅A21A展位，该公司将展出其最新的创新产品，包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。

    在2014年中国（成都）电子展上，Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极驱动下导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® 第四代 MOSFET，提高效率的500V、600V和650V E系列器件，小尺寸、高功率密度，通过AEC-Q101认证的采用PowerPAK® SO8L封装的SQ系列MOSFET。重点展出的功率IC包括在不到180mm2面积内实现超过93%效率的2.8V～5.5V降压稳压器，具有超快瞬态响应的4.5V～15V microBUCK®稳压器，集成了TrenchFET功率MOSFET的3V～28V稳压器，以及采用5mm x 5mm双侧冷却封装的高密度70A DrMOS功率级。

    针对汽车、商业和电信应用，Vishay Semiconductors将着重展示采用各种超薄封装的二极管，包括采用SMPA(DO-221BC)和SMPD(TO-263AC)封装的45V～120V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器，采用SlimSMA(DO-221AC)和SMF (DO-219AB)封装的FRED Pt®超快恢复整流器。另外，Vishay还将展示采用无焊膏压合技术的EMIPAK-2B封装的电源模块。Vishay Semiconductors的光电子产品将是另一个亮点，例如白光高亮度、高功率LED模块，高亮度0402和0603尺寸的ChipLED，PLCC2封装的SMD LED，以及全集成的接近和环境光传感器。

    Vishay的无源元件将包括各种最新的传感器和电阻。在突出位置展出的电阻包括具有模压外壳的Vishay Dale Power Metal Strip®电池分流电阻，具有长型端子焊盘和增强热循环的通过AEC-Q200认证的Vishay Draloric厚膜片式电阻，用于安全气囊和焰火的Vishay Sfernice块状电烟火起爆器片式(MEPIC)电阻，通过AEC-Q200认证的用于DC-link应用的表面贴装厚膜功率电阻；Vishay Dale薄膜片式电阻和公差只有0.01%的分压器，以及Vishay MCB的水冷绕线电阻。

    特色电容器包括通过AEC-Q200认证的工作温度可达+150℃的Vishay Vitramon多层陶瓷片式电容器(MLCC)，Vishay Sprague高温固钽表面贴装电容器和通过AEC-Q200认证的小尺寸0603的器件，Vishay BCcomponents的使用寿命长达6000小时的表面贴装铝电容器和用于汽车的陶瓷盘式安规电容器，Vishay ESTA功率电子电容器，用于DC-link应用的Vishay Roederstein聚丙烯膜电容器。

    另外，Vishay将在2014年中国（成都）电子展的展位进行两项产品演示。Vishay Siliconix将演示SiHP22N60E 600V E系列N沟道功率MOSFET。Vishay Semiconductors将演示手势控制传感器，电路板包括VCNL4020接近传感器和两个VSMF2890RGX01红外发射器。<