东芝电子携多款功率器件产品参加PCIM 2014

    近期，“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”（PCIM Asia 2014 ）在上海世博展览馆隆重举行，日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体&存储产品公司盛装亮相，展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。

    东芝电子本次展出的产品包括：IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）专利产品、Stack（压接装置）产品、SiC（混合型IEGT）产品、IPD + MCU（电机驱动方案）、MOSFETs以及Coupler（光耦）。

    东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”（IE：Injection Enhanced）技术，用于高电压大电流级别的IGBT使其性能得到大幅提升。随后，针对100kW到MW级别的超大功率电力转换设备的应用，开发出东芝专利产品IEGT。IEGT通过采取“注入增强结构”实现了低通态电压，使大功率电力电子器件取得了飞跃性的发展。作为IGBT系列电力电子器件具有良好的发展前景，其具有低损耗、高速开关、高耐压、有源栅驱动智能化等特点。并采用沟槽结构和多芯片并联均流等技术，使其在进一步及扩大电流容量方面颇具潜力。目前，东芝的IEGT主要应用于新能源、太阳能、风能、高压直流输电（HVDC）、牵引用特种电源等特大功率电力领域。随着电力市场项目功率等级和电压等级的不断提高，IEGT的优势逐步得到了体现和认可。现在国内市场上已经有以东芝的IEGT作为核心器件成功运行项目。

    此外，针对PPI压接式封装的产品，需要专用的压接装置，东芝在展会上展示了客户版本的压接装置，可供其他客户参考；在SiC （混合型IEGT）产品方面，东芝已将新型材料碳化硅的技术，成功地应用于IEGT模块中，取代了IEGT中的二极管，实现了高效和高性能的新产品；同时，东芝电子的智能模块IPD结合了专用驱动芯片MCD，可以支持小功率的电机，并已被广泛地用于家电行业；公司拥有丰富封装的高压MOS管（HV-MOS）和低压MOS（LV-MOS）产品线，能满足从消费类电子到工业相关设备的不同需求。

    东芝电子在节能、环保、绿色及可持续发展等方面以全面创新为己任，整合多领域技术，提供优秀的产品和技术支持。<