我国自主研制的首批8英寸IGBT芯片实现国产化

    近日，由我国自主研制的首批8英寸IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片模块在昆明地铁车辆段完成段内调试并稳定运行1万公里，这标志着我国已彻底打破国外高端IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完全国产化。

    此次试运行的IGBT模块，由中国南车株洲研究所旗下南车时代电气自主研发的8英寸IGBT芯片封装而成，IGBT芯片制造、封装、测试的整套技术均在该公司研制和生产。

    据中国工程院院士、南车株洲所总经理丁荣军介绍，如果将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中，每年可节约用电2000亿千瓦时，相当于两个三峡电站的年发电量。同时，中国自主研发的高功率等级的IGBT对涉及国家经济安全、国防安全等战略性产业至关重要。<