意法半导体推出新款功率MOSFET

    意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。

    400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计，内部集成快速恢复体二极管、恢复软度系数更高的换向行为和背对背栅源齐纳二极管保护功能，是全桥零压开关拓扑的理想选择。

    意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr / Qrr比和恢复软度系数表现最好的功率MOSFET，同时也拥有最出色的高电流关断能量，有助于提高汽车电源能效。此外，内部快速体二极管的性能表现亦十分出色，有助于降低EMI电磁干扰，让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波器件。MDmeshTM DM2技术通过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低，从而使能效最大化、终端产品的尺寸最小化。

    意法半导体的新款车用功率MOSFET拥有以下主要特性：

    •快速恢复体二极管

    •极低的栅电荷量及输入电容，500V D2PAK产品的栅电荷量及输入电容分别为44nC和1850pF

    •低导通电阻

    •最短的Trr：600V TO-247在28A时是120ns；650V TO-247在48A时是135ns

    •栅源齐纳二极管保护<