我要找:  
您的位置:电源在线首页>>行业资讯>>新品速递>>快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供100%占空比能力正文

快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供100%占空比能力

2017/9/8 11:42:30   电源在线网
分享到:

    近日,亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET,非常适合高频开关和静态开关应用。

    LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时,很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。

    LTC7004 采用 MSOP-10 封装,具有针对高压间隔配置的引脚。该器件有 3 种工作结温范围,扩展和工业级版本的范围为  –40°C 至 125°C,高温汽车级版本的范围为 –40°C 至 150°C,军用级的范围为 –55°C 至 125°C。千片批量的起始价为每片 2.05 美元。

照片说明:快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器

    性能概要: LTC7004
 
    宽 VIN 工作范围:0V 至 60V (65V 绝对最大值)

    内部充电泵提供 100% 占空比能力

    1Ω 下拉、2.2Ω 上拉电阻实现很短的接通和断开时间

    很短的 35ns 传播延迟

    可调的接通转换率

    3.5V 至 15V 栅极驱动器电源

    可调驱动器电源 VCC 欠压闭锁

    可调 VIN 过压闭锁

    CMOS 兼容输入

   免责声明:本文仅代表作者个人观点,与电源在线网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
本文链接:快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动
http:www.cps800.com/news/2017-9/201798114230.html
文章标签: 凌力尔特/LTC7004
  投稿热线 0755-82905460    邮箱  :news@cps800.com
关于该条新闻资讯信息已有0条留言,我有如下留言:
请您注意:
·遵守中华人民共和国的各项有关法律法规
·承担一切因您的行为而导致的法律责任
·本网留言板管理人员有权删除其管辖的留言内容
·您在本网的留言内容,本网有权在网站内转载或引用
·参与本留言即表明您已经阅读并接受上述条款
用户名: 密码: 匿名留言   免费注册会员
关键字:
        
按时间:
关闭