安森美半导体扩充应用于工业电机驱动的产品阵容

　　2020年4月28日—推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），继续扩充用于工业电机驱动应用的产品阵容，以进一步帮助客户解决他们的具体设计挑战。电机驱动系统正随着工业自动化及机械人激增。这些系统要求在恶劣工业环境中达到高能效、精准的测量、准确的控制及高可靠性。要有效地开发应用于工业电机驱动的半导体，需要先进的设计、集成有源和无源器件的能力、精密的封装包括基板材料，以及高质量和可靠性标准。

　　安森美半导体推出NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E，分别为25、35和50安培（A）版本的转移成型功率集成模块(TM-PIM)，用于1200伏（V）的应用，提供转换器-逆变器-制动（CIB）和转换器-逆变器（CI）配置版本。这些模块包括6个1200 V IGBT、6个1600 V整流器和一个用于系统级温度监控的负温度系数（NTC）热敏电阻。CIB版本使用一个附加的1200 V IGBT和一个二极管。新推出的模块采用转移成型封装，延长温度及功率的循环寿命。模块尺寸仅为73 x 40 x 8毫米（mm），具有可焊接引脚，CIB和CI版本均具有一个标准化的引脚输出。

　　公司同时推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，扩充了智能功率模块（IPM）产品阵容，包括额定电压650 V和1200 V，以及额定电流10 A至75 A。这些三相逆变器集成了额定短路的沟槽型绝缘门双极晶体管（Trench IGBT）、快速恢复二极管、门极驱动器、自举电路、可选的NTC热敏电阻和保护，通过一个额定2500 Vrms/分钟的隔离提供紧凑可靠的模块，获UL1557认证。这些IPM具有直接键合铜基板和低损耗硅的特性，延长功率循环寿命和散热能力。

　　通过片上电流隔离，NCD57000和NCD57001 IGBT门极驱动器透过减低系统复杂性实现紧凑、高效和可靠的门极驱动器设计。这些器件分别提供4 A/6 A供应电流和汲取电流，同时还集成了去饱和(DESAT)、米勒钳位、欠压锁定（UVLO）保护、使能（Enable）和稳压VREF。

　　NCS21871零漂移运算放大器以一个45µV低输入偏置电压提供精确的信号调节，同时从-40°C至+125°C维持该精度，低输入偏置漂移为0.4µV/°C。这些参数使其非常适合用于低边电流检测。

　　NCP730 LDO稳压器提供150 mA，输出电压精度为±1％，工作输入电压范围从2.7 V至38 V和具有低压降。集成的软启动可抑制涌入电流，在过载情况下提供短路和过热保护，使器件非常适合用于工业自动化应用。