安森美半导体在APEC2021发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方

　　2021年6月8日—推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一对1200 V完整的碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车(EV)市场的产品系列。

　　随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。

　　新的1200 V M1完整SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。

　　NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数(NTC)热敏电阻有助于温度监测。

　　新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

　　NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。

　　安森美半导体的SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰(EMI)得以改善，并减小系统尺寸和重量。

　　最近发布的650 V SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，使(RDS(on)*area)的品质因数(FoM)达到同类最佳。该系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等是市场上采用D2PAK7L/TO247封装的具有最低RDS(on)的MOSFET。

　　1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸小，减少了器件电容和门极电荷（Qg-低至220 nC），从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。

　　在APEC 2021期间，安森美半导体将展示用于工业应用的SiC方案，并在展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案。