Qorvo助力简化GaN PA偏置

　　中国北京–2022年6月14日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出ACT41000-104-REF1，这是一款GaN功率放大器(PA)偏置参考设计，可加强Qorvo GaN PA的设计与测试。

　　GaN器件是耗尽型FET，运行时需要施加负栅极电压。在使用GaN PA的系统中，需要以特定的顺序进行偏置：提高漏极偏置电压之前，必须施加负栅极电压，以保护器件免受损坏。

　　Qorvo的ACT41000-104-REF1内置可配置性，可实现多种GaN PA偏置并自动校准系统。它集成了功率MOSFET和电流数模转换器，方便器件精准检测PA静态漏极电流。此设计采用电源管理，对GaN偏置流程进行简化。

　　ACT41000可在4.5到40 V的输入电压下运行；在4 A电流下，可生成最高达24 V的稳定可调的输出电压，变化幅度为12.5 mV。ACT41000带有评估平台和GUI，可帮助客户调节输出漏极电压、静态和最大漏极电流、PA器件电流，以及电压保护、开关频率和其他功能，从而优化GaN PA性能。

　　在用户接通系统电源后，将会自动执行此流程进行自动调试，防止因为老化或剧烈温度波动造成故障，因而可降低测试难度，提升自动化水平。ACT41000内置可配置性，可为不同市场（包括卫星通信、5G、雷达等）内的各种Qorvo GaN PA提供偏置。

　　Qorvo可编程电源管理产品高级主管David Briggs表示：“Qorvo致力于为客户和供应商简化实际解决方案的设计和测试。这款全新产品集成了Qorvo功率产品与GaN产品组合，是我们产品组合扩展计划的一部分。”

　　Qorvo是应用集成产品（如ACT41000）市场的领军企业。观看视频教程，了解ACT41000如何经过专门设计从而与Qorvo行业领先的GaN产品进行集成。