日本京都的风险企业Shimei半导体，在硅底板上开发出了GaN类发光二极管（LED）芯片（该公司Web网站）。其中，蓝色LED的输出功率为最大10mW，与普及型蓝色LED芯片的功率几乎相同，而成本却比在蓝宝石底板上制作的蓝色LED芯片少一半。据介绍，之所以能够降低制造成本，是因为与蓝宝石底板相比，硅底板的价格仅为约1/10，另外硅底板比蓝宝石底板柔软，更易于加工。新产品的发光波长为450nm。芯片尺寸为0.3mm见方。20mA驱动时的光度为1.5～2cd。除了蓝色LED之外，紫明半导体还在硅底板上制作出了绿色LED。
通常，在硅底板上生成GaN膜时，由于GaN与硅的热膨胀率以及晶格常数差异较大，因此容易产生龟裂等缺陷。此次，通过在硅底板上交互堆叠多层AlInGaN与AlInGaN以外的材料作为缓冲层来抑制缺陷的发生。使用同样的手法，日本三垦电气（Sanken Electric）与名古屋工业大学正在共同开发在硅底板上制作的GaN类LED。三垦电气通过在硅底板上交互堆叠多层AlN和GaN来作为缓冲层。
由于硅比蓝宝石更容易吸收光线，所以在此次的蓝色LED缓冲层上设置了反射结构。与蓝宝石相比，硅具有热传导性高的优点，在硅底板上制作的GaN类LED的散热特性会得到提高。与绝缘的蓝宝石不同，由于硅能够导电，因此还具有可将n型电极安装在LED芯片最下部的优点。通常，用蓝宝石底板制成的LED，由于蓝宝石为绝缘体，因此必须将LED的上部削掉一部分以安装n型电极。而采用硅底板，则可取消切削工序，因此预计成品率将得以提高。另外据介绍，由于硅的硬度比蓝宝石以及SiC低，因此容易切割，所以也便于提高成品率。
Shimei半导体计划从2007年4月开始样品供货，目前正在进行月产300万枚芯片的准备工作。除了以裸芯片（Bare Chip）方式销售之外，Shimei半导体还考虑晶圆供货.
通常，在硅底板上生成GaN膜时，由于GaN与硅的热膨胀率以及晶格常数差异较大，因此容易产生龟裂等缺陷。此次，通过在硅底板上交互堆叠多层AlInGaN与AlInGaN以外的材料作为缓冲层来抑制缺陷的发生。使用同样的手法，日本三垦电气（Sanken Electric）与名古屋工业大学正在共同开发在硅底板上制作的GaN类LED。三垦电气通过在硅底板上交互堆叠多层AlN和GaN来作为缓冲层。
由于硅比蓝宝石更容易吸收光线，所以在此次的蓝色LED缓冲层上设置了反射结构。与蓝宝石相比，硅具有热传导性高的优点，在硅底板上制作的GaN类LED的散热特性会得到提高。与绝缘的蓝宝石不同，由于硅能够导电，因此还具有可将n型电极安装在LED芯片最下部的优点。通常，用蓝宝石底板制成的LED，由于蓝宝石为绝缘体，因此必须将LED的上部削掉一部分以安装n型电极。而采用硅底板，则可取消切削工序，因此预计成品率将得以提高。另外据介绍，由于硅的硬度比蓝宝石以及SiC低，因此容易切割，所以也便于提高成品率。
Shimei半导体计划从2007年4月开始样品供货，目前正在进行月产300万枚芯片的准备工作。除了以裸芯片（Bare Chip）方式销售之外，Shimei半导体还考虑晶圆供货.
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编辑：Sepnova
来源：照明工程师社区
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本文链接：日本Shimei半导体开发出硅基蓝光L
http:www.cps800.com/news/2006-11/20061120104544.html
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文章标签： Shimei/硅基/LED
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