碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
上传时间：2019/2/27 15:23:47
摘要：本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
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－－本文摘自《电源世界》，已被阅读1691次
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