为增强型GaN功率晶体管匹配门极驱动器
上传时间:2019/11/7 11:01:20
摘要:氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。
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--本文摘自《电源世界》,已被阅读1296次
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