绝缘栅双极晶体管IGBT特性与研发(一)
作者:周志敏 上传时间:2005/3/19 16:20:49
摘要:本文阐述了绝缘栅双极晶体管IGBT的结构、静态、动态特性、工作原理、关键技术及其应用情况,结合国内IGBT的发展现状,探讨了IGBT研发的技术动向。
叙词:IGBT 结构 工作原理 特性 研制
Abstract:This paper elaborate insulated-gate bipolar transistor IGBT frame and static state and dynamic characteristic and work elements and develop aspect ,combine domestic IGBT developactuality,discuss IGBT develop technique pulse。
Keyword:IGBT frame work elements characteristic develop
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--本文摘自《电源世界》,已被阅读4347次
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