芯片并联的分析
从经典的最坏情况到统计方法
作者：Dr. Uwe Scheuermann 上传时间：2009/4/23 14:46:11
摘要：经过调查分析，介绍了芯片并联对IGBT模块性能参数的影响，重点介绍了续流二极管正向压降对并联模块电流分布的影响。通过应用统计方法，可以定义更切合实际的降额因子。
叙词：芯片并联 IGBT模块 续流二极管 降额因子
Abstract：The article, after investigation and analysis, introduces the influence of chip parallel towards the parameters of IGBT module, and lays emphasis on the influence of FWD (fly-wheel diode) forward voltage drop toward parallel module current. By applying statistics means, more practical derating factor can be defined.
Keyword：Chip parallel, IGBT Module, FWD, Derating factor
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－－本文摘自《电源世界》，已被阅读2286次
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