我要找:   
综述| 设计分析| 通信电源| 电力电源| 不间断电源| 逆变电源| 交流稳定电源| 工业特种电源| 蓄电池| 电能质量管理| 元器件| 电磁兼容| LED| 控制 驱动 保护| 人物企业访谈| 开关电源技术| 电子变压器| 电力电子新技术| 新能源| 标准介绍| 应用分析| 谐波治理| 技术研究 仿真技术| 其他|
您的位置:电源在线首页>>技术文摘>>元器件>>功率场效应晶体管MOSFET(一)正文

功率场效应晶体管MOSFET(一)

作者:周志敏   上传时间:2005/5/8 16:21:12
摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。分析了功率MOSFET的几种驱动电路的技术特性和功率损耗,阐述了功率MOSFET。介绍了新一代MOSFET—QFET的主要技术特性,阐述了MOSFET器件的发展趋势和研发动态及变换器领域应用的优势。
叙词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 功率损耗 应用
Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state、dynamic characteristic,right dynamic characteristic improve on carry out discuss,brief introduction MOSFET drive circuit and develop dynamic。analyze drive circuit technique characteristic and power loss for power MOSFET,elaborate power MOSFET develop current and research dynamic and parts of an apparatus apply advantage indeflector field。。
Keyword:MOSFET frame characteristic drive circuit power loss apply
用户名:  密码:    免费注册电源在线会员,获取本站更多服务!
说明:本站会员正确输入用户名和密码进行登录系统后才能查看文章详细内容和参与评论。
--本文摘自《电源世界》,已被阅读7994
   免责声明:本文仅代表作者个人观点,与电源在线网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
投稿热线  :0755-82905460  邮箱  :news@cps800.com
关于本文的网友评论:
本文暂时还没有网友发表评论信息!
我要发表评论:
用户名:  密码:  
敬请注意:
·尊重网上道德,遵守中华人民共和国各项有关法律、法规
·遵守《全国人大常委会关于维护互联网安全的决定》及《互联网电子公告服务管理规定》
·承担一切因您的行为而直接或间接导致的民事或刑事法律责任
·电源世界网网站管理人员有权保留或删除留言中的任意内容
·您在本网站相关栏目发表的评论信息,本网站有权在网站内转载或引用
·不要重复发布评论信息,评论内容不能超过200个字符
·参与本评论即表明您已经阅读并接受上述条款
关键字:
关闭