英飞凌场效应管SPW20N60C3
采用TO-247封装方式。
晶体管极性:N沟道
漏极电流,Id 最大值:20.7A
电压,Vds 最大:650V
开态电阻,Rds(on):0.19ohm
电压@Rds测量:10V
电压,Vgs 最高:3V
功耗:208W
工作温度范围:-55°C to+150°C
针脚数:3
功率,Pd:208W
总功率,Ptot:208W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度@电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs@Rds on 测量:10V
电压,Vds:650V
电流,Idm 脉冲:62.1A
表面安装器件:通孔安装
所属类别:半导体二极管
基极/源极击穿电压:650 V
漏极连续电流:20.7 A 功
率耗散:208000 Mw
闸/源击穿电压:20 V
封装:Tube
特价抛售:
英飞凌/IGBT管系列:
IKW08T120 IKW15T120 IKW20N60T IKW25N120T2 IKW25T120
IKW30N60T IKW40N120T2 IKW40T120 IKW50N60 IKW75N60
仙童/IGBT单管系列:
FGA15N120 FGA25N120 FGL40N120 FGL40N150D FGH60N60 FGL60N100 FGL160N60
HGTG30N60 HGTG40N60 HGTG11N120 SGH80N60 SGH40N60、、、、
整流快恢复系列:
STTH6002 STTH6003 STPS80150 ESAD92-02 MUR1560 FML33S FML4204S
RHRG30120 RHRG3060 RHRG75120 80CPQ150 40CPQ100 63CPQ100 DSEI60-06A
MOS管:
IRFZ24N IRF9Z24N IRF9Z34N IRFP460 2SK3878 2SK4108 2SK4107 2SK2837 2SK2698
FMH23N50E FMH11N90E FQA11N90C FQA9N90C
部分常用IC:
LM324、LM339、LM358、LM393、LM353、CD4000系列
SG3525、UC3843、UC3845、UC3846、UC3875、TL494 KA7500