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Diodes推出为VoIP应用优化的全新N沟道MOSFET ZXMN15A27K及ZXMN20B28K
新闻ID号:  21365 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  模块电源(DC/DC); 通信电源; 功率器件; 变压器; 电子元件
关 键 字:  Diodes/N沟道MOSFET/ZXMN15A27K及ZXMN20B28K/变压器/转换器
内容描述:  Diodes公司推出两款N沟道MOSFET ZXMN15A27K及ZXMN20B28K,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。
发布时间:  2009/12/2 15:01:00
更新时间:  2009/12/2 15:01:00
审核情况:  已审核开通[2009/12/2 15:01:00]
浏览次数:  共 1552 人/次
新闻来源:  Diodes
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发 布 者:  电源在线
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内    容:

    Diodes公司推出两款N沟道MOSFET ZXMN15A27KZXMN20B28K,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。

    ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封装,经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。
 
    两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V,能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式,不需要额外的保护电路。配合正确选择的变压器,这些MOSFET就能驱动150V以上的线路电压,并以6公里以上的环路长度提供多种用户线路。
 
    这些MOSFET的低输入电容使其易于以很少或没有缓冲直接从SLIC控制IC进行驱动,进一步简化了电路设计,减少了元件数量和成本。ZXMN20B28K还可在逻辑电平实现低栅极驱动。■