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| 新闻ID号: |
26879 |
无标题图片 |
| 资讯类型: |
新品速递 |
| 所属类别: |
功率器件 |
| 关 键 字: |
二极管/电容/电池 |
| 内容描述: |
Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。 |
| 发布时间: |
2012/3/23 10:27:04 |
| 更新时间: |
2012/3/23 10:27:04 |
| 审核情况: |
已审核开通[2012/3/23 10:27:04] |
| 浏览次数: |
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| 新闻来源: |
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| 链 接: |
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| 责任编辑: |
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| 发 布 者: |
电源在线 |
| 图片文件: |
| 原文件名:DI0688_mini_switching_diode.jpg |
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| 保存文件:20120323102547571.jpg |
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| 内 容: |
Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。

这些单二极管、双二极管和双双(串联及共阴极)二极管配置能发挥多种功能,包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护和直流-直流转换,适用于对轻巧和纤薄产品设计有较高要求的手机、平板电脑和笔记本电脑。
该开关二极管系列的总电容性能从2pF到最高4pF,确保把高带宽输入信号的失真或衰减情况减至最少。此外,这些二极管还具备高达85V的击穿电压,可从容应对最强烈的开关电路瞬态峰值。< |
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