IGBT业者正积极抢进600伏特以下的低电压应用。全球经济不稳定，加上主要应用市场竞争日益激烈，使得IGBT产业近来成长趋缓。为开创成长新契机，IGBT业者遂致力研发适合低电压应用领域的新技术与产品方案，甚至朝向12寸晶圆制造发展。

    受到全球政府降低再生能源及运输支出的影响，绝缘闸双极电晶体（IGBT）元件及模组制造商纷纷陷入艰困处境。据Yole Developpement统计，大多IGBT制造商、封装公司和相关的被动元件制造厂在2012年出现衰退（图1），因而促使相关业者改变IGBT晶圆、封装等生产策略，期将产业带回先前快速的成长轨道上。

    拓展低电压市场　IGBT厂生产策略转变

    现阶段，几乎所有 IGBT制造商都在600伏特（V）以上相关电力电子应用市场竞争，范围由太阳能逆变器（Inverter）到马达驱动器。现有主要业者如位于德国的英飞凌（Infineon）、日本东京的三菱电机（Mitsubishi Electric），以及具备可提供阻挡高达3，300伏特电压元件优势的富士电机（Fuji Electric）。这些业者同时也跨足1，700伏特以下中电压应用领域；此一市场，可谓业界竞争最激烈的应用领域，因为几乎所有电力电子元件造商，皆可提供1，700伏特以下应用的IGBT元件。不过，若以营收计算，600～900伏特的产品才是市场产值最大的贡献来源。

    随着主流市场竞争日益严峻，有些公司开始想进入超越传统范围下缘的新领域，积极往200～600伏特低电压区间移转，以达到更大量的应用，如白色家电产品和相机闪光灯。然而，超级接面高效能金属氧化物半导体场效电晶体（Super Junction MOSFET）已应用于此电压区间，意味着IGBT产品要进入市场将有一些挑战，且制造商也将面临极大的价格竞争压力。<