近期，科达半导体再次发布了IGBT新产品，这次推出的新产品包括三大类共5款：1、KDG25N120W、KDG40N120W单管两款;2、KDG40N120H1单管一款;3、KDG25R12KE3、KDG40R12KT3模块两款。

    KDG25N120W、KDG40N120W单管产品

    主要针对逆变控制领域(逆变焊机等)研制的芯片，封装形式为TO-247单管。KDG25N120W产品在100℃环境下的耐压值高于1200V，电流标称为25A。KDG40N120W产品在100℃环境下的耐压值高于1200V，电流标称为40A。

    KDG40N120H1单管产品

    主要针对变频领域(变频器等)研制的芯片，封装形式为TO-247单管。KDG40N120H1产品在100℃环境下的耐压值高于1200V，电流标称为40A。

    KDG25R12KE3、KDG40R12KT3模块

    主要针对7.5KW以下的小功率变频器领域，整体性能达到世界一流水平。科达半导体经过6年的发展，产品在技术研发、市场开拓上都积累了丰富的经验，总结这些年的发展历程和取得的成果，确定出了后期产品技术路线和市场定位的三大方向：一方面，快速实现新一代产品：沟槽式——场截止(Trench-Fs)IGBT芯片的量产化；另一方面，由单一化的单管IGBT产品模式升级为全方位多层次涵盖IGBT单管，IGBT模块，IGBT产品应用方案提供商;同时，市场开拓上要两手抓，同步推进民用市场与工业市场。

    IGBT芯片是功率半导体的技术前沿，2007年科达半导体研制出了1200V15A/20A/30A的IGBT芯片及单管产品，打破了国外垄断，填补了国内空白，肩负起振兴民族工业、强化自主品牌的重任。这次新品的推出，不仅丰富了科达的产品种类，而且满足了客户对不同产品的需求。<