中国北京-2022年5月17日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适用于主流的800V总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。

　　UnitedSiC/Qorvo功率器件总工程师Anup Bhalla表示：“我们通过更高性能的第四代器件扩充了1200V产品系列，为工程师将总线设计电压提高到800V提供了有力支持。在电动汽车中，这种电压升高无法避免；这些新器件支持四种不同的RDS(on)（漏源导通电阻）等级，有助于设计师为每项设计选择合适的SiC器件。”

　　以下SiC FET出色的品质因数展现了全新UF4C/SC系列的性能优势：

　　所有RDS(on)选项（23、30、53和70毫欧）都采用行业标准的4引脚开尔文源极TO-247封装，以更高的性能水平提供更清洁的开关。53和70毫欧的器件也可采用TO-247三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺，通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。

　　此外，FET-Jet Calculator™免费在线设计工具支持所有1200V SiC FET；可以即时评估在各种AC/DC和隔离式/非隔离DC/DC转换器拓扑结构中所用器件的效率、组件损耗和结温上升指标。它可以在用户指定的散热条件下比较单个和并联器件，以获取优化解决方案。

　　全新1200V第四代SiC FET售价（1000件起，美国离岸价）为5.71美元(UF4C120070K3S)到14.14美元(UF4SC120023K4S)。所有器件均通过授权经销商销售。

　　Qorvo的碳化硅和电源管理产品面向工业、商业和消费电子领域的充电、驱动和控制应用。