性能优势决定SiC半导体市场规模将持续增长

　 日本矢野经济研究所公布了电子部件等使用的SiC及GaN等单晶的市场调查结果。被该研究所称为功能性单晶的宽禁带(wide gap )半导体用单晶以及非线形光学晶体等，大多尚未达到实用和量产水平。不过，预计今后市场有望扩大的是SiC以及GaN等。

　　2006年SiC单晶的市场规模为40亿日元。SiC目前已投产的元件很少，主要用于研究开发。但是，随着元件实用化的研发，需求有不断扩大的倾向。现在，主要供应SiC单晶的厂商是美国Cree。关于今后的市场动向，矢野经济研究所预计使用硅的高耐压离散部件将被SiC取代。矢野经济研究所预计，在2～3年内除了已投产的SiC二极管、MOSFET等的开关部件将量产外，5年后的2013年将形成一定的市场。SiC底板方面，除了采用在SiC上形成有外延SiC薄膜的电子部件外，使用GaN的HEMT元件以及发光元件的底板存在需求。尤其HEMT元件，面向高速通信及手机基站的需求有望增加。矢野经济研究所预测SiC单晶的市场规模到2010年将达到105亿日元，2015年将达到300亿日元。