您的位置：电源在线首页>>行业资讯>>新品速递>>意法半导体新推极低电阻功率MOSFET STD11NM60N(图)正文

意法半导体新推极低电阻功率MOSFET STD11NM60N(图)

　　意法半导体(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的第一款产品STD11NM60N。 该产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优越，为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品，例如，大功率因数电子镇流器和高强度放电灯(HID)电子镇流器。

　　商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用ST自主开发的第二代MDmesh技术，最大通态电阻RDS(ON)仅为450 mΩ，该器件的电阻值比上一代MDmesh技术降低了55%，而且这一特性并没有牺牲对其温度特性的精确控制为代价。

　　除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外，这个600V产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路，该电路使MOSFET能够在较低的VGS(th)(栅阈压)电压下驱动更高的电流。 事实上，虽然阈压范围(2V)没有变化，但是驱动该器件所需的VGS电压范围降低了，从而优化了驱动电路的性能，保证了器件具有优良的防止电路意外导通的噪声抑制性能。

　　STD11NM60N的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用户能够把工作温度保证在正常的工作温度范围内。因为传导损耗和功耗都很低，该器件还有助于客户降低散热器的尺寸，从而大大节省了电路板的空间。

　　STD11NM60N采用微型DPAK/IPAK和TO-220FP封装，现已量产，订购10,000件时单价为0.90美元。

   免责声明：本文仅代表作者个人观点，与电源在线网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。
编辑：Sepnova
  来源：国际电子商情

关于该条新闻资讯信息已有0条留言，我有如下留言：

请您注意：
·遵守中华人民共和国的各项有关法律法规
·承担一切因您的行为而导致的法律责任
·本网留言板管理人员有权删除其管辖的留言内容
·您在本网的留言内容，本网有权在网站内转载或引用
·参与本留言即表明您已经阅读并接受上述条款

验证码：

用户名： 密码： 匿名留言   免费注册会员