陈慕平：超高频感应加热功率组件MOSFET突波抑制探讨

    陈慕平主要探讨超高频电磁感应加热供电器MOSFET功率组件，于应用时为达到高稳定度需加考虑的相关技术与要点，包括以零电压切换技术来达到突波抑制、防止功率组件震荡的MOSFET小信号模式分析、RBSOA的量测、MOSFET失效检视等课题。

    功率组件在电力电子产品中扮演了一个非常重要的地位，一则其成本约占产品材料成本的30%，一但在保固期烧毁，维修成本甚高，造成血本无归，且对商誉打击甚大。虽然在电路中功率组件只是扮演一个很简单的开关角色，但其开关速度所造成的瞬时高电压变化率及电流变化率，往往造成很强的电磁波干扰及严重的组件损坏，甚至于引起火灾，所以每个制造商莫不投入相当大精力于功率组件级的设计与测试。国际上亦有一些重要研究的发展，大幅提升电力电子产品的可靠度。

    超高频感应加热供电器，由于工作频率高达1MHz，组件快速切换，造成了很大的电磁干扰与切换损失，更由于快速的电压变化率(dv/dt)，造成很大的突波及热量损耗，且由于受限于滤波组件的频宽，高频突波无法用缓冲电路(snubber)加以吸收，陈先生特别针对超高频感应加热供电器功率组件MOSFET驱动设计加以探讨，藉由小信号模型的探讨提出了一些解决对策与实务。