英飞凌携最新MOSFET器件出席国际电源展

    5月23-25日，第十四届中国国际电源展暨电子变压器展在深圳会展中心盛大召开，展会上英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS 3系列N沟道MOSFET模块，该系列模块的应用可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%。

国际电源展上的英飞凌展台

    英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt先生介绍，使用OptiMOS 3系列产品可将使用前一代产品的电源设备能源效率提高1%。这种提升幅度看似不大，但目前PC电源的能效已经达到85%以上，服务器电源的能效更是高达89%，如此高的能效基础使得任何一点细微的提升都异常艰难。虽然只有1%，但如果全球1,200W服务器供电系统的能效都提高1%，全年即可节省约360兆瓦的电量，相当于一个传统发电厂的发电量。

英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt先生

    “作为全球功率半导体领域的技术领袖，英飞凌引领超小封装潮流，使通态电阻降低高达50%。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出，“我们利用在功率半导体制造和封装方面的领先技术，使功率半导体具备一流的效率和开关特性、更高的功率密度以及出色的性价比，从而大大降低系统成本。”