意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效

　　2022年5月18日，中国–意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源(SMPS)。

　　首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平，STP65N045M9为45mΩ，STP60N043DM9为43mΩ。由于栅极电荷(Qg)非常低，在400V漏极电压时通常为80nC，两款器件都具有目前市场上一流的RDS(on)max x Qg品质因数(FoM)。

　　STP65N045M9的栅极阈压(VGS(th))典型值为3.7V，STP60N043DM9的典型值为4.0V，与上一代的MDmesh M5和M6/DM6相比，可极大程度地降低通断开关损耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)也都非常低，这有助于进一步提高能效和开关性能。

　　意法半导体最新的高压MDmesh技术的另一个特点是增加了一道铂扩散工艺，确保本征体二极管开关速度快。该二极管恢复斜率(dv/dt)峰值高于早期工艺。MDmesh DM9全系产品具有非常高的鲁棒性，在400V电压时可耐受高达120V/ns的dv/dt斜率。

　　意法半导体的新MDmesh M9和DM9产品STP65N045M9和STP60N043DM9均采用TO-220功率封装，现已投产，2022年第二季度末代理商开始铺货销售。2022年底前还将增加标准的贴装和通孔封装。