日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性,从而能够更好地抵御EMI,实现更高的效率,同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级,在10V栅极驱动下的最大导通电阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味着低传导损耗,可以在用于LIPS逆变器、HID、PC电源和镇流器的LLC、全桥、半桥和双管正激拓扑中节省能源。
为了能可靠地工作,该器件进行了完备的雪崩测试,可处理22A的脉冲峰值电流和8A的连续电流(由最高结温限定)。SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封装,符合RoHS指令2002/95/EC。
新款功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周至十周。■
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来源:Vishay
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本文链接:Vishay推出新款500V N沟道功
http:www.cps800.com/news/2010-4/20104615451.html
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文章标签: 功率MOSFET/二极管/LIPS逆变
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