TI推出面向电信及服务器电源的双通道输出MOSFET驱动器

    日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。

    首款 120 V 启动高侧／低侧 MOSFET 驱动器

    UCC27210 与 UCC27211 是业界首批 120 V 启动高低侧双通道输出 MOSFET 驱动器，可在解决驱动器输入 -10 V 直流电 (VDC) 抗扰度问题的同时，提供高达 4 A 的输出电流。这两款驱动器提供 18 纳秒 (ns) 传播延迟，支持多种高频率半桥及全桥电源拓扑。上述综合特性可为具有 100 V 浪涌需求的电信、服务器以及工业电源设计提高效率，增强可靠性。如欲了解样片、PSpice 瞬态模型与评估板。

    UCC27210 与 UCC27211 的主要技术特性：

    · 业界首批额定 120 V 的 4 A 高低侧驱动器（TTL 与伪 CMOS 兼容输入版本），可驱动 N 通道高低侧 FET；

    · 0.9 欧姆上拉及下拉电阻可最大限度降低 MOSFET 转换通过米勒效应平台时的开关损耗；

    · 增强的系统可靠性：输入支持 -10 伏直流，无需整流二极管便可实现到栅极驱动变压器的直接接口连接。

    更快速度驱动更大电流

    此外，TI 还面向二次侧同步整流器 MOSFET 及 IGBT 电源开关推出了业界速度最快的 5 A 双通道低侧驱动器。该 UCC27524 提供低脉冲失真与高效性，并支持 12 ns 传播延迟， 6 ns 上升时间与 1 ns 输出延迟匹配。该驱动器支持 4.5 V 至 18 V 宽泛工作电压，可高度灵活地结合两组输出驱动电机驱动器系统等高达 10 A 的应用。如欲了解样片、PSpice 瞬态模型与评估板。

    UCC27524 的主要技术特性：

    · 大电流与高性能：支持高效率的 5 A 峰值源极与汲极驱动器电流。支持 4.5 V 至 18 V 宽泛输入。2 组输出可并行，支持更大电流的驱动器；

    · 极快的速度：12 ns 典型传播延迟，6 ns 典型上升时间，两个通道间仅 1 ns 的典型输出延迟匹配；

    · 外形小巧：采用业界标准 8 引脚 SOIC 及 PDIP 封装。<