我国高压变频器的发展趋势分析

    交流变频调速技术是强弱电混合，机电一体的综合技术，既要处理巨大电能的转换(整流、逆变)，又要处理信息的收集、变换和传输，因此它必定会分成功率和控制两大部分。前者要解决与高压大电流有关的技术问题，后者要解决的软硬件控制问题。因此，未来高压变频调速技术也将在这两方面得到发展，其主要表现为：高压变频器将朝着大功率，小型化，轻型化的方向发展。向直接器件高压和多重叠加(器件串联和单元串联)两个方向发展。更高电压、更大电流的新型电力半导体器件将应用在高压变频器中。现阶段，IGBT、IGCT、SGCT仍将扮演着主要的角色，SCR、GTO将会退出变频器市场。无速度传感器的矢量控制、磁通控制和直接转矩控制等技术的应用将趋于成熟。全面实现数字化和自动化：参数自设定技术；过程自优化技术；故障自诊断技术。应用32位MCU、DSP及ASIC等器件，实现变频器的高精度，多功能。相关配套行业正朝着专业化，规模化发展，社会分工将更加明显。

    节能环保产业作为我国七大战略性新兴产业之首，十二五规划投入将超3万亿，行业面临空前的市场机遇。当前我国正面临经济发展由量到质转变的关键时期，政策的纷纷出台，显示出节能环保已受到政府充分重视。2012年将有望开启节能环保市场大发展的新时代。

    2010年3月19日，国家发改委办公厅发布《关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，明确指出将组织实施新型电力电子器件产业化专项，以大力推进新型电力电子器件产业发展，努力掌握自主知识产权的芯片和器件的设计、制造技术，以市场带动产业，尽快形成芯片和器件的规模化生产能力和产业配套能力。

    在支持专项重点中，IGBT名列其中。据了解，高压变频器所需电力电子元器件包括普通电子元器件(如电解电容)和核心功率器件IGBT，除此之外，其上游产业还包括机箱、变压器等。目前，除IGBT外，其大部分原材料国内企业都可以实现生产，行业竞争充分，价格稳定。此次出台对于IGBT的扶持政策对于高压变频器行业而言无疑是条好消息。国家发改委此次实施的产业化专项，鼓励符合条件的企业申请国家补贴资金支持。国家补贴资金将主要用于新型电力电子器件产业化项目的研究开发、购置研究开发及工程化所需的仪器设备、改善工艺设备和测试条件、建设必要的配套基础设施、购置必要的技术和软件等。且此次国家发改委规定有应用国产器件条件的企业一定要优先采用国产器件，这也将进一步推进我国高压变频调速系统、电力电子应用装置以及相应配套元器件产业化的发展。 <