150V快速高压侧受保护的N沟道 MOSFET驱动器提供100%占空比能力

    亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.，简称ADI)旗下凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7000/-1，该器件采用高达150V的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部N沟道MOSFET开关，因而使之能无限期地保持导通。LTC7000/-1的强大1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间驱动大栅极电容MOSFET，这非常适合高频开关和静态开关应用。

    LTC7000/-1可在3.5V至135V(150VPK)输入电源范围和一个3.5V至15V偏置电压范围内工作。它通过监视一个与外部MOSFET之漏极串联的外部检测电阻器两端之电压来检测过流情况。当LTC7000/-1检测到开关电流超过某个预设水平时，则确定一个故障标记，并关断开关一段时间，而这段时间是由一个外部定时电容器设定。在经过一个预定的时间段之后，LTC7000/-1自动执行重试操作。

    LTC7000/-1专为接收一个参考于地的低电压数字输入信号和快速驱动一个漏极电压会高出地电位达150V的高压侧N沟道功率MOSFET而设计。13ns的快速上升和下降时间(当驱动一个1000pF负载)最大限度降低了开关损耗。LTC7000是全功能器件并具有比LTC7000-1更多的特点，包括使能、过压闭锁、可调电流限制和电流监视。

    LTC7000采用MSOP-16封装，而LTC7000-1则采用MSOP-16(12)封装，后者去掉了4个引脚以提供高电压间隔。该器件可提供三种工作结温等级，扩展和工业版本为–40°C至125°C，高温汽车版本为–40°C至150°C，而军用等级则为–55°C至150°C。千片批购价为每片2.75美元。

高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器

    性能概要：LTC7000/-1

    宽VIN工作电压范围：3.5V至135V(150V绝对最大值)
    100%占空比能力
    1Ω下拉、2Ω上拉以提供快速接通和断开
    短路保护
    自动重启定时器
    漏极开路故障标记
    集成的自举二极管
    可调的接通转换速率
    3.5V至15V偏置电源
    可调电流限制(LTC7000)
    电流监视器输出(LTC7000)
    可调输入欠压和过压闭锁(LTC7000)