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GaN Systems HD半桥双极驱动开关评估板在贸泽开售

2022/6/16 17:01:37   电源在线网
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  2022年6月14日–提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子(Mouser Electronics,Inc.)即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓(GaN)增强模式(e-mode)半桥评估板性能优异,同时减少了组件总数,节省了宝贵的电路板空间。

  贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两个半桥配置的650 V、60 A GaN增强模式晶体管。HEY1011是一款隔离式栅极驱动器,专为驱动具有快速传播延迟和高峰值拉/灌能力的GaN FET进行了优化,适用于需要隔离、电平移位或接地隔离以实现抗噪性的高频应用。由于HEY1011驱动器不需要二次侧电源或自举组件,因此释放了宝贵的板空间,使设计更具成本效益。

  为了帮助缓解栅漏电容电流的影响,GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了双极栅驱动装置。该板可以执行双脉冲测试或将半桥连接到现有LC电源段。双脉冲测试可用于安全地评估硬开关条件下电源开关的特性。

  GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板适合用于开发大功率无线充电器、工业逆变器、电机驱动/VFD、数据中心、住宅储能系统以及其他电力电子应用。

 

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本文链接:GaN Systems HD半桥双极驱
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